Samsung: Neue Chips sollen höhere SSD-Kapazitäten erlauben

11. August 2015 Kategorie: Hardware, geschrieben von:

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Samsung wird SSD-Speicher offenbar noch einen Ticken größer machen können. Erst im Juni stellte das Unternehmen aus Südkorea neue Flashspeicher vor, die mit Kapazitäten bis 2 Terabyte lockten. Statt flacher Zellstrukturen kam bei den 2 TB-Versionen der neuen SSD die von Samsung entwickelte 3D V-NAND Technologie mit zylindrischen, mehrlagigen Strukturen zum Einsatz.

Nun geht man allerdings noch einen Schritt weiter und entwickelt 256 Gigabit-Bausteine in der  3D V-NAND Technologie. Ohne hier in das schwer Nachvollziehbare zu verfallen: Samsungs neue Technologie sorgt dafür, dass man mehr Speicher auf kleinstem Raum unterbringen kann. Samsung setzt weiterhin auf das Multilevel-Cell-Design und gibt eine Verdoppelung der Kapazitäten in Aussicht.

Samsung’s new 256Gb 3D V-NAND flash doubles the density of conventional 128Gb NAND flash chips. In addition to enabling 32 gigabytes (256 gigabits) of memory storage on a single die, the new chip will also easily double the capacity of Samsung’s existing SSD line-ups, and provide an ideal solution for multi-terabyte SSDs.

Heißt für uns, dass wir mit größeren Kapazitäten in Sachen SSD rechnen können, zudem sollen diese auch weniger Energie verbrauchen, bis zu 30 Prozent sollen dies im Vergleich zu einem 32 Layer-Chip (V-NAND) sein. Die Produktion soll das Jahr 2015 über laufen, um größere SSDs an den Kunden bringen können.


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