Samsung stellt 12-Gigabit-LPDDR5-DRAM-Modul vor
von caschy | 5 Kommentare
Manche Smartphones müssen immer mehr leisten: AR, KI, XR, 5G und weitere Dinge müssen erledigt werden – neben den üblichen Dingen, die der Nutzer so machen will. Da gehört eine runde Ausstattung dazu und DRAM (Dynamic Random Access Memory) ist ein Teil jener. Samsung ist in Sachen Speicher-Chips ganz vorne dabei und nun hat das Unternehmen ein schnelles und großes Modul angekündigt.
Satte 12 Gigabit liefert der Baustein. Der neue mobile Speicher kommt nur fünf Monate nach der Ankündigung der Massenproduktion des 12Gb-LPDDR4X-Moduls und erweitert damit die Speicherpalette des Unternehmens. Mit einer Datenrate von 5.500 Megabit pro Sekunde (Mb/s) ist der 12Gb LPDDR5 etwa 1,3 mal schneller als der bisherige mobile Speicher (LPDDR4X, 4266Mb/s), der in heutigen High-End-Smartphones zu finden ist, so Samsung.
Der neue Chip verbraucht zudem bis zu 30 Prozent weniger Strom als sein Vorgänger, indem er ein neues Schaltungsdesign mit verbesserter Taktung, Training und Low-Power-Funktion integriert, das eine stabile Leistung auch bei extrem hohen Geschwindigkeiten gewährleistet. Da weiß man ja nun schon, was Samsung sicher im Note 10 und im Note 10+ verbaut.
Timeline:
| July 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| June 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Feb. 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| April 2018 | 8GB (development) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| Sept. 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Aug. 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| Dec. 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Sept. 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Nov. 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| July 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| April 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Aug. 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |
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„Megabit pro Sekunde (MB/s)“ und „(LPDDR4X, 4266MB/s)“ da sollte Mb/s hin. MB = MegaByte vs Mb = MegaBit
Nicht ganz richtig:
„MB“ = Megabyte
„MBit“ = Megabit
8 Bit sind 1 Byte, also sind 5500 Mbit gleich (5500/8) 687,5 MB
Genau richtig. Einheitenzeichen für Megabit ist Mbit oder Mb. Darauf spielt er an.
Nur ist MBit eben keine korrekte Abk. für Megabit. Die ist, wie Flo richtig schrieb, Mb.
PS: Sonst fängt irgendwer zukünftig noch mit kGramm oder cMeter an…
Ich bin mir recht sicher, dass das Note 10 kein LPDRR5 haben wird. Solche Hardwarekomponente werden viel früher produziert, bis es im Smartphone eingebaut werden. Und das wird beim Note 10 (Start am 7. August) sehr knapp. Zumal die Galaxy Geräte jeweils in Snapdragon (für USA) und Exynos (für Rest) produziert werden. Zwar kennen wir die Spezifikationen des Exynos 9825 noch nicht, jedoch ist für das Snapdragon 855 oder 855+ schon bekannt das es noch kein LPDDR5 unterstützt. Daher wird das Note 10 sehr wahrscheinlich noch LPDDR4x haben.