Samsung schickt EUV-DDR5-DRAM aus dem 14-nm-Verfahren in die Massenproduktion

Samsung hat laut eigenen Aussagen mit der Massenproduktion des „bisher fortgeschrittensten“ EUV-DDR5-DRAMs aus dem 14-Nanometer-Verfahren begonnen. Laut den Südkoreanern sei der neue Arbeitsspeicher vor allem für KI- und 5G-Anwendungen prädestiniert.

So verspricht Samsung eine besonders hohe Speicherdichte auf kleinem Raum, da man seine „Extreme Ultraviolet“-Technologie (EUV) verwenden konnte. Die Verkleinerung des physischen Platzbedarfs bzw. die Erhöhung der Speicherdichte wäre laut Samsung mit dem konventionellen Argonfluorid-Prozess nicht möglich gewesen. Fünf Layer nutze man für seinen neuen DRAM. Dank des 14-Nanometer-Verfahrens sinke außerdem der Stromverbrauch um ca. 20 %, wenn man mit vorherigen Generationen vergleiche.

Dank des DDR5-Standards seien Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gbps möglich. Als Vergleich: DDR4 erlaubt nur bis zu 3,2 Gbps. Für die nächsten Meilensteine will man nun die DRAM-Chip-Dichte auf 24 GB erhöhen, um den wachsenden Bedarf von Datenzentren decken zu können.

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