Samsung fertigt Qualcomm Snapdragon 835 im 10-nm-FinFET-Verfahren

Qualcomm und Samsung haben gemeinsam bekannt gegeben, dass der kommende SoC Snapdragon 835 bei Samsung im 10-Nanometer-FinFET-Verfahren hergestellt werden wird. Klar, dass sich in diesem Atemzug beide Unternehmen gegenseitig eifrig auf die Schulter klopfen. Immerhin plaudert man aber auch kurz über die Vorteile, welche die Kooperation für Kunden bringen soll. So biete das höherwertige Herstellungsverfahren im direkten Vergleich mit dem 14-nm-FinFET-Prozess bis zu 40 % weniger Stromverbrauch bei dennoch gesteigerter Leistung. Davon soll auch der Qualcomm Snapdragon 835 profitieren.

Zudem reduziert sich die Fläche des Chips, was Partnern mehr Möglichkeiten bei der Kühlung einräumt, aber eben auch Platz für andere Komponenten oder dünnere Gehäuse schafft. Zeitgleich bestätigt Qualcomm, dass der Snapdragon 835 bereits in Produktion gegangen sei und ab der ersten Jahreshälfte 2017 in mobilen Endgeräten zu finden sein wird. Kandidaten sind natürlich kommende Smartphone-Flaggschiffe von beispielsweise Samsung selbst, LG oder auch HTC. Der Snapdragon 835 beerbt die Snapdragon 820 / 821. Bereits 200 Geräte mit dem Chip sollen Partner laut Qualcomm planen.

Der Qualcomm Snapdragon 835 wird QuickCharge 4.0 unterstützen, welches nun im Gegensatz zu QuickCharge 3.0 voll die Spezifikationen von USB Typ-C einhalten soll. Ansonsten hält Qualcomm mit weiteren Details zu seinem neuen SoC für mobile Endgeräte aber noch hinterm Berg. Weitere Details dürften aber in nicht allzu ferner Zukunft bestimmt auf uns hereinprasseln.

(via Samsung)