Samsung stellt DDR5-RAM mit 32 Gb aus dem 12-nm-Verfahren vor
von André Westphal | Kommentare deaktiviert
Samsung Electronics hat neuen DDR5-DRAM mit 32 Gb aus dem 12-Nanometer-Verfahren vorgestellt. Gegenüber bisherigen 16-Gb-Modulen ermöglicht man so die doppelte Kapazität bei gleicher Größe. Durch die neuen Chips wird es möglich sein, DRAM-Module mit bis zu 1 TByte zu fertigen.
Ebenfalls wurde bisher für Speichermodule mit 128 GByte bei Verwendung von DRAM mit 16 Gb das Verfahren Through Silicon Via (TSV) zur Herstellung benötigt. Dies entfalle bei Verwendung der neuen 32-Gb-Chips, sodass man den Stromverbrauch neuer 128-GByte-Module um etwa 10 % senken könne. Man visiert hier entsprechend auch Geschäftskunden. So gibt man als erste Partner etwa Datenzentren an, die bald beliefert würden.
Die Massenproduktion des neuen 32-Gb-DDR5-DRAMs aus dem 12-Nanometer-Verfahren soll noch vor Jahresende anlaufen.
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