Samsung mit erstem DDR5-RAM aus dem 12-nm-Verfahren

Samsung Electronics hat bestätigt, dass man den ersten 16-Gb-DDR5-RAM aus dem 12-Nanometer-Verfahren in der Entwicklung habe. Die Massenproduktion soll 2023 anlaufen. Gedacht ist der Speicher für z. B. Datenzentren und KI-Anwendungsgebiete. Die Kompatibilitätsprüfung für AMD-Lösungen wurde ebenfalls bereits abgeschlossen.

Samsung verweist dabei auch auf weitere, technische Fortschritte, welche die DDR5-Entwicklung beschleunigt hätten – etwa proprietäre Design-Techniken des Herstellers, welche die Eigenschaften der Schaltkreise verbessert hätten. Dazu komme die Multi-Layer-Extreme-Ultraviolet-Lithography (EUV). So habe man die bisher höchste Die-Dichte in der Speicherindustrie erzielen können und könne die Wafer um 20 % effizienter nutzen.

Man verspricht da Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gbps. Dennoch sei die Effizienz ebenfalls um 23 % verbessert worden. Samsung rechnet mit einer breiten Adoption seines neuen DDR5-RAMs aus dem 12-Nanometer-Verfahren im nächsten Jahr. Derzeit arbeite man da mit vielen Partnern aus der Industrie zusammen.

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