Samsung hat den ersten LPDDR5-RAM mit 8 Gb aus dem 10-Nanometer-Verfahren für mobile Endgeräte vorgestellt. 2014 waren die Südkoreaner auch unter den ersten, welche LPDDR4-RAM mit 8 Gb in die Massenproduktion geschickt hatten. LPDDR5 ist logischerweise der Nachfolger. Laut Samsung ebne der höherwertige Arbeitsspeicher den Weg für mobile Anwendungen mit 5G- und KI-Schwerpunkten.
Der neue LPDDR5-RAM kann mit Datenraten von bis zu 6.400 Mb/s operieren. Aktueller LPDDR4X-RAM, wie er in Smartphone-Flaggschiffen zum Einsatz kommt, steckt bei 4.266 Mb/s fest. Um die Zahlenspielereien weiter zu treiben, eröffnet Samsung, dass dadurch etwa 51,2 GByte an Daten innerhalb von einer Sekunde transferiert werden könnten. Um auf jene 6.4.00 Mb/s zu kommen, muss eine Spannung von 1,1 Volt anliegen. Bei 1,05 Volt sind immerhin noch 5.500 Mb/s drin.
Erreicht hat man diese Leistungssteigerungen unter anderem durch eine Verdopplung der einzelnen Speicherbänke innerhalb einer DRAM-Zelle – von acht auf 16. Im Ergebnis steigere man die Leistung, senke aber parallel den Stromverbrauch. Letzterer werde auch dadurch optimiert, dass sich die Spannung des LPDDR5-RAMs an den jeweiligen SoC anpasse. Zudem bietet der Arbeitsspeicher einen neuen Deep Sleep Mode, welcher dann auf nur noch ca. den halben Stromverbrauch zurückfährt, der bei LPDDR4X-RAM im Idle-Modus anliegt. Im Gesamtbild sollen Einsparungen von bis zu 30 % drin sein.
Aktuell testet Samsung mit Partnern Prototypen des neuen LPDDR5-RAMs mit 8 GByte – acht einzelne Chips mit 8 Gb kommen dafür zum Einsatz. Die Massenproduktion des neuen Arbeitsspeichers soll anschließend schon bald anlaufen.