Samsung: DDR5-Modul mit 512 GB und 7.200 Mbps vorgestellt

Der erste DDR5-Speicher auf Basis von High-K Metal Gate (HKMG) stammt aus dem Hause Samsung. Das Modul bietet dank 8-Lagen-TSV-Struktur (Through-Silicon-Via-Technologie) eine recht üppige Kapazität von 512 GB. Gegenüber DDR4 konnte man durch den Einsatz von HKMG-Material die Geschwindigkeit bei um 13 Prozent geringerem Stromverbrauch verdoppeln.

HKMG kommt beispielsweise auch bei Samsungs GDDR6-RAM zum Einsatz. Damit bietet man für DDR5 nun eine Leistung von bis zu 7.200 Megabit in der Sekunde (Mbps). Dies sei wichtig um auch die Menge an zu bewegenden Daten zu verarbeiten, die in den Bereichen Supercomputing, Machine Learning sowie künstlicher Intelligenz (KI) anfallen. Also wohl eher nichts für den privaten Nutzer entsprechend kommuniziert Samsung auch keine Preise, da Geschäftskunden hier das Ziel sind. Diverse Varianten lässt man bereits durch (potenzielle) Kunden bemustern und zertifizieren.

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Baujahr 1995. Technophiler Schwabe & Studienreferendar. Unterwegs vor allem im Bereich Smart Home und ständig auf der Suche nach neuen Gadgets & Technik-Trends aus Fernost. Twitter. PayPal-Kaffeespende an den Autor. Mail: felix@caschys.blog

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6 Kommentare

  1. 7,2 GBit/s liegt noch unter der Leistung von DDR3 RAM. Ist das ein Fehler, oder ein Nischenprodukt für besondere Anwendungsfälle?

  2. Es müssten wohl 7200 MT/s sein, nicht Mbit/s. 🙂

  3. Von Heise

    Die anvisierte Taktfrequenz von 3600 MHz (DDR5-7200) erhöht zudem die Datentransferrate: Acht Speicherkanäle kämen gebündelt auf eine Übertragungsrate von 461 GByte/s. Mit dem bisherigen Maximum von DDR4-3200 sind dagegen knapp 205 GByte/s möglich.

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